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評(píng)價(jià)信息:
影響因子:2
年發(fā)文量:92
《IEEE電子器件學(xué)會(huì)雜志》(Ieee Journal Of The Electron Devices Society)是一本以Biochemistry, Genetics and Molecular Biology-Biotechnology綜合研究為特色的國際期刊。該刊由Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.出版商創(chuàng)刊于2013年,刊期1 issue/year。該刊已被國際重要權(quán)威數(shù)據(jù)庫SCIE收錄。期刊聚焦Biochemistry, Genetics and Molecular Biology-Biotechnology領(lǐng)域的重點(diǎn)研究和前沿進(jìn)展,及時(shí)刊載和報(bào)道該領(lǐng)域的研究成果,致力于成為該領(lǐng)域同行進(jìn)行快速學(xué)術(shù)交流的信息窗口與平臺(tái)。該刊2023年影響因子為2。CiteScore指數(shù)值為5.2。
The IEEE Journal of the Electron Devices Society (J-EDS) is an open-access, fully electronic scientific journal publishing papers ranging from fundamental to applied research that are scientifically rigorous and relevant to electron devices. The J-EDS publishes original and significant contributions relating to the theory, modelling, design, performance, and reliability of electron and ion integrated circuit devices and interconnects, involving insulators, metals, organic materials, micro-plasmas, semiconductors, quantum-effect structures, vacuum devices, and emerging materials with applications in bioelectronics, biomedical electronics, computation, communications, displays, microelectromechanics, imaging, micro-actuators, nanodevices, optoelectronics, photovoltaics, power IC's, and micro-sensors. Tutorial and review papers on these subjects are, also, published. And, occasionally special issues with a collection of papers on particular areas in more depth and breadth are, also, published. J-EDS publishes all papers that are judged to be technically valid and original.
《IEEE 電子設(shè)備學(xué)會(huì)雜志》(J-EDS)是一本開放獲取的全電子科學(xué)期刊,出版從基礎(chǔ)研究到應(yīng)用研究的論文,這些論文科學(xué)嚴(yán)謹(jǐn),與電子設(shè)備相關(guān)。J-EDS 發(fā)表與電子和離子集成電路設(shè)備和互連的理論、建模、設(shè)計(jì)、性能和可靠性有關(guān)的原創(chuàng)和重要貢獻(xiàn),涉及絕緣體、金屬、有機(jī)材料、微等離子體、半導(dǎo)體、量子效應(yīng)結(jié)構(gòu)、真空設(shè)備和新興材料,應(yīng)用于生物電子學(xué)、生物醫(yī)學(xué)電子學(xué)、計(jì)算、通信、顯示器、微機(jī)電、成像、微致動(dòng)器、納米設(shè)備、光電子學(xué)、光伏、電源 IC 和微傳感器。還出版了有關(guān)這些主題的教程和評(píng)論論文。有時(shí),還會(huì)出版特別版,其中包含有關(guān)特定領(lǐng)域的更深入和更廣泛的論文集。J-EDS 出版所有被判定為技術(shù)上有效和原創(chuàng)的論文。
《Ieee Journal Of The Electron Devices Society》(IEEE電子器件學(xué)會(huì)雜志)編輯部通訊方式為445 HOES LANE, PISCATAWAY, USA, NJ, 08855-4141。如果您需要協(xié)助投稿或潤稿服務(wù),您可以咨詢我們的客服老師。我們專注于期刊咨詢服務(wù)十年,熟悉發(fā)表政策,可為您提供一對(duì)一投稿指導(dǎo),避免您在投稿時(shí)頻繁碰壁,節(jié)省您的寶貴時(shí)間,有效提升發(fā)表機(jī)率,確保SCI檢索(檢索不了全額退款)。我們視信譽(yù)為生命,多方面確保文章安全保密,在任何情況下都不會(huì)泄露您的個(gè)人信息或稿件內(nèi)容。
2023年12月升級(jí)版
大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
工程技術(shù) | 3區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 | 4區(qū) | 否 | 否 |
2022年12月升級(jí)版
大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
工程技術(shù) | 3區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 | 3區(qū) | 否 | 否 |
2021年12月舊的升級(jí)版
大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
工程技術(shù) | 3區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 | 3區(qū) | 否 | 否 |
2021年12月基礎(chǔ)版
大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
工程技術(shù) | 4區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 | 4區(qū) | 否 | 否 |
2021年12月升級(jí)版
大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
工程技術(shù) | 3區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 | 3區(qū) | 否 | 否 |
2020年12月舊的升級(jí)版
大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
工程技術(shù) | 3區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 | 3區(qū) | 否 | 否 |
基礎(chǔ)版:即2019年12月17日,正式發(fā)布的《2019年中國科學(xué)院文獻(xiàn)情報(bào)中心期刊分區(qū)表》;將JCR中所有期刊分為13個(gè)大類,期刊范圍只有SCI期刊。
升級(jí)版:即2020年1月13日,正式發(fā)布的《2019年中國科學(xué)院文獻(xiàn)情報(bào)中心期刊分區(qū)表升級(jí)版(試行)》,升級(jí)版采用了改進(jìn)后的指標(biāo)方法體系對(duì)基礎(chǔ)版的延續(xù)和改進(jìn),影響因子不再是分區(qū)的唯一或者決定性因素,也沒有了分區(qū)的IF閾值期刊由基礎(chǔ)版的13個(gè)學(xué)科擴(kuò)展至18個(gè),科研評(píng)價(jià)將更加明確。期刊范圍有SCI期刊、SSCI期刊。從2022年開始,分區(qū)表將只發(fā)布升級(jí)版結(jié)果,不再有基礎(chǔ)版和升級(jí)版之分,基礎(chǔ)版和升級(jí)版(試行)將過渡共存三年時(shí)間。
JCR分區(qū)等級(jí):Q3
按JIF指標(biāo)學(xué)科分區(qū) | 收錄子集 | 分區(qū) | 排名 | 百分位 |
學(xué)科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q3 | 202 / 352 |
42.8% |
按JCI指標(biāo)學(xué)科分區(qū) | 收錄子集 | 分區(qū) | 排名 | 百分位 |
學(xué)科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q3 | 179 / 354 |
49.58% |
Gold OA文章占比 | 研究類文章占比 | 文章自引率 |
97.60% | 98.91% | 0.04... |
開源占比 | 出版國人文章占比 | OA被引用占比 |
0.97... | 0.21 | 1 |
名詞解釋:JCR分區(qū)在學(xué)術(shù)期刊評(píng)價(jià)、科研成果展示、科研方向引導(dǎo)以及學(xué)術(shù)交流與合作等方面都具有重要的價(jià)值。通過對(duì)期刊影響因子的精確計(jì)算和細(xì)致劃分,JCR分區(qū)能夠清晰地反映出不同期刊在同一學(xué)科領(lǐng)域內(nèi)的相對(duì)位置,從而幫助科研人員準(zhǔn)確識(shí)別出高質(zhì)量的學(xué)術(shù)期刊。
CiteScore | SJR | SNIP | CiteScore 指數(shù) | ||||||||||||||||
5.2 | 0.505 | 0.955 |
|
名詞解釋:CiteScore是基于Scopus數(shù)據(jù)庫的全新期刊評(píng)價(jià)體系。CiteScore 2021 的計(jì)算方式是期刊最近4年(含計(jì)算年度)的被引次數(shù)除以該期刊近四年發(fā)表的文獻(xiàn)數(shù)。CiteScore基于全球最廣泛的摘要和引文數(shù)據(jù)庫Scopus,適用于所有連續(xù)出版物,而不僅僅是期刊。目前CiteScore 收錄了超過 26000 種期刊,比獲得影響因子的期刊多13000種。被各界人士認(rèn)為是影響因子最有力的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。
歷年中科院分區(qū)趨勢(shì)圖
歷年IF值(影響因子)
歷年引文指標(biāo)和發(fā)文量
歷年自引數(shù)據(jù)
2019-2021年國家/地區(qū)發(fā)文量統(tǒng)計(jì)
國家/地區(qū) | 數(shù)量 |
CHINA MAINLAND | 168 |
USA | 99 |
Taiwan | 98 |
South Korea | 74 |
Japan | 61 |
India | 40 |
France | 29 |
GERMANY (FED REP GER) | 27 |
Switzerland | 23 |
Belgium | 20 |
2019-2021年機(jī)構(gòu)發(fā)文量統(tǒng)計(jì)
機(jī)構(gòu) | 數(shù)量 |
NATIONAL YANG MING CHIAO TUNG UNIVERSITY | 35 |
INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY SYSTEM (I... | 22 |
CHINESE ACADEMY OF SCIENCES | 20 |
ECOLE POLYTECHNIQUE FEDERALE DE LAUSANNE | 18 |
NATIONAL TSING HUA UNIVERSITY | 17 |
UNIVERSITY OF ELECTRONIC SCIENCE & TECHN... | 17 |
NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY | 15 |
SEOUL NATIONAL UNIVERSITY (SNU) | 15 |
SOUTH CHINA UNIVERSITY OF TECHNOLOGY | 15 |
PEKING UNIVERSITY | 14 |
2019-2021年文章引用數(shù)據(jù)
文章引用名稱 | 引用次數(shù) |
FinFET Versus Gate-All-Around Nanowire F... | 21 |
Characterization and Compact Modeling of... | 19 |
Characterization and Modeling of 28-nm B... | 14 |
Cryogenic Temperature Characterization o... | 11 |
Hysteresis Reduction in Negative Capacit... | 11 |
Tunneling Transistors Based on MoS2/MoTe... | 11 |
Direct Correlation of Ferroelectric Prop... | 10 |
Ferroelectric HfO2 Tunnel Junction Memor... | 10 |
Development and Fabrication of AlGaInP-B... | 10 |
Experimental Investigations of State-of-... | 10 |
2019-2021年文章被引用數(shù)據(jù)
被引用期刊名稱 | 數(shù)量 |
IEEE T ELECTRON DEV | 140 |
IEEE J ELECTRON DEVI | 75 |
IEEE ELECTR DEVICE L | 59 |
SEMICOND SCI TECH | 36 |
IEEE ACCESS | 29 |
JPN J APPL PHYS | 27 |
SOLID STATE ELECTRON | 22 |
APPL PHYS LETT | 20 |
MICROMACHINES-BASEL | 20 |
J APPL PHYS | 18 |
2019-2021年引用數(shù)據(jù)
引用期刊名稱 | 數(shù)量 |
IEEE T ELECTRON DEV | 499 |
IEEE ELECTR DEVICE L | 445 |
APPL PHYS LETT | 311 |
J APPL PHYS | 180 |
SOLID STATE ELECTRON | 105 |
IEEE J ELECTRON DEVI | 75 |
JPN J APPL PHYS | 73 |
NANO LETT | 64 |
IEEE J SOLID-ST CIRC | 58 |
NATURE | 53 |
中科院分區(qū):1區(qū)
影響因子:7.7
審稿周期:約Time to first decision: 9 days; Review time: 64 days; Submission to acceptance: 82 days; 約2.7個(gè)月 約7.8周
中科院分區(qū):1區(qū)
影響因子:8.1
審稿周期:約Time to first decision: 6 days; Review time: 44 days; Submission to acceptance: 54 days; 約4.1個(gè)月 約6.8周
中科院分區(qū):3區(qū)
影響因子:3.3
審稿周期:約17.72天 11 Weeks
中科院分區(qū):1區(qū)
影響因子:98.4
審稿周期: 約3月
中科院分區(qū):2區(qū)
影響因子:5.8
審稿周期: 約2.4個(gè)月 約7.6周
中科院分區(qū):2區(qū)
影響因子:5.1
審稿周期: 約1.9個(gè)月 約2.7周
若用戶需要出版服務(wù),請(qǐng)聯(lián)系出版商:445 HOES LANE, PISCATAWAY, USA, NJ, 08855-4141。