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          Ieee Transactions On Device And Materials Reliability

          評價信息:

          影響因子:2.5

          年發(fā)文量:72

          IEEE Transactions on Device and Materials Reliability SCIE

          Ieee Transactions On Device And Materials Reliability

          《IEEE Transactions on Device and Materials Reliability》(Ieee Transactions On Device And Materials Reliability)是一本以工程技術(shù)-工程:電子與電氣綜合研究為特色的國際期刊。該刊由Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.出版商創(chuàng)刊于2001年,刊期Quarterly。該刊已被國際重要權(quán)威數(shù)據(jù)庫SCIE收錄。期刊聚焦工程技術(shù)-工程:電子與電氣領(lǐng)域的重點研究和前沿進展,及時刊載和報道該領(lǐng)域的研究成果,致力于成為該領(lǐng)域同行進行快速學(xué)術(shù)交流的信息窗口與平臺。該刊2023年影響因子為2.5。CiteScore指數(shù)值為4.8。

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          期刊簡介預(yù)計審稿時間: 較慢,6-12周

          The scope of the publication includes, but is not limited to Reliability of: Devices, Materials, Processes, Interfaces, Integrated Microsystems (including MEMS & Sensors), Transistors, Technology (CMOS, BiCMOS, etc.), Integrated Circuits (IC, SSI, MSI, LSI, ULSI, ELSI, etc.), Thin Film Transistor Applications. The measurement and understanding of the reliability of such entities at each phase, from the concept stage through research and development and into manufacturing scale-up, provides the overall database on the reliability of the devices, materials, processes, package and other necessities for the successful introduction of a product to market. This reliability database is the foundation for a quality product, which meets customer expectation. A product so developed has high reliability. High quality will be achieved because product weaknesses will have been found (root cause analysis) and designed out of the final product. This process of ever increasing reliability and quality will result in a superior product. In the end, reliability and quality are not one thing; but in a sense everything, which can be or has to be done to guarantee that the product successfully performs in the field under customer conditions. Our goal is to capture these advances. An additional objective is to focus cross fertilized communication in the state of the art of reliability of electronic materials and devices and provide fundamental understanding of basic phenomena that affect reliability. In addition, the publication is a forum for interdisciplinary studies on reliability. An overall goal is to provide leading edge/state of the art information, which is critically relevant to the creation of reliable products.

          出版物的范圍包括但不限于以下方面的可靠性:設(shè)備、材料、工藝、接口、集成微系統(tǒng)(包括 MEMS 和傳感器)、晶體管、技術(shù)(CMOS、BiCMOS 等)、集成電路(IC、SSI、MSI、LSI、ULSI、ELSI 等)、薄膜晶體管應(yīng)用。從概念階段到研發(fā)再到制造規(guī)模,在每個階段對這些實體的可靠性進行測量和理解,為成功將產(chǎn)品推向市場提供了設(shè)備、材料、工藝、封裝和其他必需品的可靠性的整體數(shù)據(jù)庫。這個可靠性數(shù)據(jù)庫是滿足客戶期望的優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品的基礎(chǔ)。這樣開發(fā)的產(chǎn)品具有高可靠性。高質(zhì)量將實現(xiàn),因為產(chǎn)品弱點將被發(fā)現(xiàn)(根本原因分析)并在最終產(chǎn)品中設(shè)計出來。這個不斷提高可靠性和質(zhì)量的過程將產(chǎn)生卓越的產(chǎn)品。歸根結(jié)底,可靠性和質(zhì)量不是一回事;但從某種意義上說,我們可以做或必須做一切事情來保證產(chǎn)品在客戶條件下在現(xiàn)場成功運行。我們的目標(biāo)是抓住這些進步。另一個目標(biāo)是關(guān)注電子材料和設(shè)備可靠性的最新進展,并提供對影響可靠性的基本現(xiàn)象的基本理解。此外,該出版物還是可靠性跨學(xué)科研究的論壇??傮w目標(biāo)是提供前沿/最新信息,這些信息與可靠產(chǎn)品的創(chuàng)造至關(guān)重要。

          《Ieee Transactions On Device And Materials Reliability》(IEEE Transactions on Device and Materials Reliability)編輯部通訊方式為IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC, 445 HOES LANE, PISCATAWAY, USA, NJ, 08855-4141。如果您需要協(xié)助投稿或潤稿服務(wù),您可以咨詢我們的客服老師。我們專注于期刊咨詢服務(wù)十年,熟悉發(fā)表政策,可為您提供一對一投稿指導(dǎo),避免您在投稿時頻繁碰壁,節(jié)省您的寶貴時間,有效提升發(fā)表機率,確保SCI檢索(檢索不了全額退款)。我們視信譽為生命,多方面確保文章安全保密,在任何情況下都不會泄露您的個人信息或稿件內(nèi)容。

          中科院分區(qū)

          2023年12月升級版

          大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
          工程技術(shù) 3區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 3區(qū) 3區(qū)

          2022年12月升級版

          大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
          工程技術(shù) 3區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 3區(qū) 3區(qū)

          2021年12月舊的升級版

          大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
          工程技術(shù) 3區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 3區(qū) 3區(qū)

          2021年12月基礎(chǔ)版

          大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
          工程技術(shù) 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 4區(qū) 4區(qū)

          2021年12月升級版

          大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
          工程技術(shù) 3區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 3區(qū) 3區(qū)

          2020年12月舊的升級版

          大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
          工程技術(shù) 3區(qū) PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 3區(qū) 4區(qū)
          名詞解釋:

          基礎(chǔ)版:即2019年12月17日,正式發(fā)布的《2019年中國科學(xué)院文獻情報中心期刊分區(qū)表》;將JCR中所有期刊分為13個大類,期刊范圍只有SCI期刊。

          升級版:即2020年1月13日,正式發(fā)布的《2019年中國科學(xué)院文獻情報中心期刊分區(qū)表升級版(試行)》,升級版采用了改進后的指標(biāo)方法體系對基礎(chǔ)版的延續(xù)和改進,影響因子不再是分區(qū)的唯一或者決定性因素,也沒有了分區(qū)的IF閾值期刊由基礎(chǔ)版的13個學(xué)科擴展至18個,科研評價將更加明確。期刊范圍有SCI期刊、SSCI期刊。從2022年開始,分區(qū)表將只發(fā)布升級版結(jié)果,不再有基礎(chǔ)版和升級版之分,基礎(chǔ)版和升級版(試行)將過渡共存三年時間。

          JCR分區(qū)(2023-2024年最新版)

          JCR分區(qū)等級:Q2

          按JIF指標(biāo)學(xué)科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
          學(xué)科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q2 165 / 352

          53.3%

          學(xué)科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q2 87 / 179

          51.7%

          按JCI指標(biāo)學(xué)科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
          學(xué)科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q3 186 / 354

          47.6%

          學(xué)科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q3 99 / 179

          44.97%

          Gold OA文章占比 研究類文章占比 文章自引率
          24.52% 97.22% 0.05
          開源占比 出版國人文章占比 OA被引用占比
          0.05... 0.14 --

          名詞解釋:JCR分區(qū)在學(xué)術(shù)期刊評價、科研成果展示、科研方向引導(dǎo)以及學(xué)術(shù)交流與合作等方面都具有重要的價值。通過對期刊影響因子的精確計算和細(xì)致劃分,JCR分區(qū)能夠清晰地反映出不同期刊在同一學(xué)科領(lǐng)域內(nèi)的相對位置,從而幫助科研人員準(zhǔn)確識別出高質(zhì)量的學(xué)術(shù)期刊。

          CiteScore 指數(shù)(2024年最新版)

          CiteScore SJR SNIP CiteScore 指數(shù)
          4.8 0.436 1.148
          學(xué)科類別 分區(qū) 排名 百分位
          大類:Engineering 小類:Safety, Risk, Reliability and Quality Q2 65 / 207

          68%

          大類:Engineering 小類:Electrical and Electronic Engineering Q2 274 / 797

          65%

          大類:Engineering 小類:Electronic, Optical and Magnetic Materials Q2 103 / 284

          63%

          名詞解釋:CiteScore是基于Scopus數(shù)據(jù)庫的全新期刊評價體系。CiteScore 2021 的計算方式是期刊最近4年(含計算年度)的被引次數(shù)除以該期刊近四年發(fā)表的文獻數(shù)。CiteScore基于全球最廣泛的摘要和引文數(shù)據(jù)庫Scopus,適用于所有連續(xù)出版物,而不僅僅是期刊。目前CiteScore 收錄了超過 26000 種期刊,比獲得影響因子的期刊多13000種。被各界人士認(rèn)為是影響因子最有力的競爭對手。

          數(shù)據(jù)趨勢圖

          歷年中科院分區(qū)趨勢圖

          歷年IF值(影響因子)

          歷年引文指標(biāo)和發(fā)文量

          歷年自引數(shù)據(jù)

          發(fā)文數(shù)據(jù)

          2019-2021年國家/地區(qū)發(fā)文量統(tǒng)計

          國家/地區(qū) 數(shù)量
          USA 52
          CHINA MAINLAND 51
          India 50
          Taiwan 35
          France 20
          Italy 18
          Belgium 15
          Austria 14
          Japan 13
          GERMANY (FED REP GER) 12

          2019-2021年機構(gòu)發(fā)文量統(tǒng)計

          機構(gòu) 數(shù)量
          INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY SYSTEM (I... 23
          IMEC 15
          CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIF... 14
          STMICROELECTRONICS 10
          TECHNISCHE UNIVERSITAT WIEN 9
          NATIONAL TSING HUA UNIVERSITY 8
          NATIONAL YANG MING CHIAO TUNG UNIVERSITY 8
          COMMUNAUTE UNIVERSITE GRENOBLE ALPES 7
          GLOBALFOUNDRIES 7
          CHINESE ACADEMY OF SCIENCES 6

          2019-2021年文章引用數(shù)據(jù)

          文章引用名稱 引用次數(shù)
          A First-Principles Study of the SF6 Deco... 23
          Understanding BTI in SiC MOSFETs and Its... 9
          Comparative Thermal and Structural Chara... 9
          Output-Power Enhancement for Hot Spotted... 8
          Rapid Solder Interconnect Fatigue Life T... 7
          Study of Long Term Drift of Aluminum Oxi... 7
          Impacts of Process and Temperature Varia... 6
          Comparative Study of Reliability of Ferr... 6
          A Compact and Self-Isolated Dual-Directi... 6
          A Review on Hot-Carrier-Induced Degradat... 6

          2019-2021年文章被引用數(shù)據(jù)

          被引用期刊名稱 數(shù)量
          IEEE T ELECTRON DEV 127
          IEEE T DEVICE MAT RE 93
          MICROELECTRON RELIAB 88
          IEEE ACCESS 47
          IEEE T NUCL SCI 37
          IEEE ELECTR DEVICE L 36
          IEICE ELECTRON EXPR 35
          IEEE T POWER ELECTR 31
          J MATER SCI-MATER EL 31
          ELECTRONICS-SWITZ 30

          2019-2021年引用數(shù)據(jù)

          引用期刊名稱 數(shù)量
          IEEE T ELECTRON DEV 167
          IEEE T NUCL SCI 116
          MICROELECTRON RELIAB 100
          IEEE T DEVICE MAT RE 93
          IEEE ELECTR DEVICE L 69
          APPL PHYS LETT 59
          J APPL PHYS 44
          IEEE T COMP PACK MAN 24
          IEEE J SOLID-ST CIRC 23
          IEEE T POWER ELECTR 23

          相關(guān)期刊

          免責(zé)聲明

          若用戶需要出版服務(wù),請聯(lián)系出版商:IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC, 445 HOES LANE, PISCATAWAY, USA, NJ, 08855-4141。