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        1. 首頁 > SCI期刊 > SCIE期刊 > 工程技術(shù) > 中科院3區(qū) > JCRQ2 > 期刊介紹

          Journal Of Microelectromechanical Systems

          評(píng)價(jià)信息:

          影響因子:2.5

          年發(fā)文量:78

          微機(jī)電系統(tǒng)雜志 SCIE

          Journal Of Microelectromechanical Systems

          《微機(jī)電系統(tǒng)雜志》(Journal Of Microelectromechanical Systems)是一本以工程技術(shù)-工程:電子與電氣綜合研究為特色的國際期刊。該刊由Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.出版商創(chuàng)刊于1992年,刊期Bimonthly。該刊已被國際重要權(quán)威數(shù)據(jù)庫SCIE收錄。期刊聚焦工程技術(shù)-工程:電子與電氣領(lǐng)域的重點(diǎn)研究和前沿進(jìn)展,及時(shí)刊載和報(bào)道該領(lǐng)域的研究成果,致力于成為該領(lǐng)域同行進(jìn)行快速學(xué)術(shù)交流的信息窗口與平臺(tái)。該刊2023年影響因子為2.5。CiteScore指數(shù)值為6.2。

          投稿咨詢 加急發(fā)表

          期刊簡介預(yù)計(jì)審稿時(shí)間: 約3.0個(gè)月

          The topics of interest include, but are not limited to: devices ranging in size from microns to millimeters, IC-compatible fabrication techniques, other fabrication techniques, measurement of micro phenomena, theoretical results, new materials and designs, micro actuators, micro robots, micro batteries, bearings, wear, reliability, electrical interconnections, micro telemanipulation, and standards appropriate to MEMS. Application examples and application oriented devices in fluidics, optics, bio-medical engineering, etc., are also of central interest.

          感興趣的主題包括但不限于:尺寸從微米到毫米的設(shè)備、IC 兼容制造技術(shù)、其他制造技術(shù)、微觀現(xiàn)象測量、理論結(jié)果、新材料和設(shè)計(jì)、微型執(zhí)行器、微型機(jī)器人、微型電池、軸承、磨損、可靠性、電氣互連、微型遙控以及適用于 MEMS 的標(biāo)準(zhǔn)。流體學(xué)、光學(xué)、生物醫(yī)學(xué)工程等領(lǐng)域的應(yīng)用實(shí)例和面向應(yīng)用的設(shè)備也是主要關(guān)注點(diǎn)。

          《Journal Of Microelectromechanical Systems》(微機(jī)電系統(tǒng)雜志)編輯部通訊方式為IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC, 445 HOES LANE, PISCATAWAY, USA, NJ, 08855-4141。如果您需要協(xié)助投稿或潤稿服務(wù),您可以咨詢我們的客服老師。我們專注于期刊咨詢服務(wù)十年,熟悉發(fā)表政策,可為您提供一對(duì)一投稿指導(dǎo),避免您在投稿時(shí)頻繁碰壁,節(jié)省您的寶貴時(shí)間,有效提升發(fā)表機(jī)率,確保SCI檢索(檢索不了全額退款)。我們視信譽(yù)為生命,多方面確保文章安全保密,在任何情況下都不會(huì)泄露您的個(gè)人信息或稿件內(nèi)容。

          中科院分區(qū)

          2023年12月升級(jí)版

          大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
          工程技術(shù) 3區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 INSTRUMENTS & INSTRUMENTATION 儀器儀表 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 3區(qū) 3區(qū) 3區(qū) 4區(qū)

          2022年12月升級(jí)版

          大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
          工程技術(shù) 3區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 INSTRUMENTS & INSTRUMENTATION 儀器儀表 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 3區(qū) 3區(qū) 3區(qū) 4區(qū)

          2021年12月舊的升級(jí)版

          大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
          工程技術(shù) 3區(qū) INSTRUMENTS & INSTRUMENTATION 儀器儀表 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 2區(qū) 3區(qū) 3區(qū) 3區(qū)

          2021年12月基礎(chǔ)版

          大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
          工程技術(shù) 3區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 INSTRUMENTS & INSTRUMENTATION 儀器儀表 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 4區(qū) 3區(qū) 4區(qū) 4區(qū)

          2021年12月升級(jí)版

          大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
          工程技術(shù) 3區(qū) INSTRUMENTS & INSTRUMENTATION 儀器儀表 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 2區(qū) 3區(qū) 3區(qū) 3區(qū)

          2020年12月舊的升級(jí)版

          大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
          工程技術(shù) 3區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 INSTRUMENTS & INSTRUMENTATION 儀器儀表 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 3區(qū) 3區(qū) 3區(qū) 3區(qū)
          名詞解釋:

          基礎(chǔ)版:即2019年12月17日,正式發(fā)布的《2019年中國科學(xué)院文獻(xiàn)情報(bào)中心期刊分區(qū)表》;將JCR中所有期刊分為13個(gè)大類,期刊范圍只有SCI期刊。

          升級(jí)版:即2020年1月13日,正式發(fā)布的《2019年中國科學(xué)院文獻(xiàn)情報(bào)中心期刊分區(qū)表升級(jí)版(試行)》,升級(jí)版采用了改進(jìn)后的指標(biāo)方法體系對(duì)基礎(chǔ)版的延續(xù)和改進(jìn),影響因子不再是分區(qū)的唯一或者決定性因素,也沒有了分區(qū)的IF閾值期刊由基礎(chǔ)版的13個(gè)學(xué)科擴(kuò)展至18個(gè),科研評(píng)價(jià)將更加明確。期刊范圍有SCI期刊、SSCI期刊。從2022年開始,分區(qū)表將只發(fā)布升級(jí)版結(jié)果,不再有基礎(chǔ)版和升級(jí)版之分,基礎(chǔ)版和升級(jí)版(試行)將過渡共存三年時(shí)間。

          JCR分區(qū)(2023-2024年最新版)

          JCR分區(qū)等級(jí):Q2

          按JIF指標(biāo)學(xué)科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
          學(xué)科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q2 165 / 352

          53.3%

          學(xué)科:INSTRUMENTS & INSTRUMENTATION SCIE Q2 28 / 76

          63.8%

          學(xué)科:NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY SCIE Q3 99 / 140

          29.6%

          學(xué)科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q2 87 / 179

          51.7%

          按JCI指標(biāo)學(xué)科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
          學(xué)科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q2 168 / 354

          52.68%

          學(xué)科:INSTRUMENTS & INSTRUMENTATION SCIE Q2 37 / 76

          51.97%

          學(xué)科:NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY SCIE Q3 73 / 140

          48.21%

          學(xué)科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q2 83 / 179

          53.91%

          Gold OA文章占比 研究類文章占比 文章自引率
          20.45% 100.00% 0.07...
          開源占比 出版國人文章占比 OA被引用占比
          0.22... 0.15 --

          名詞解釋:JCR分區(qū)在學(xué)術(shù)期刊評(píng)價(jià)、科研成果展示、科研方向引導(dǎo)以及學(xué)術(shù)交流與合作等方面都具有重要的價(jià)值。通過對(duì)期刊影響因子的精確計(jì)算和細(xì)致劃分,JCR分區(qū)能夠清晰地反映出不同期刊在同一學(xué)科領(lǐng)域內(nèi)的相對(duì)位置,從而幫助科研人員準(zhǔn)確識(shí)別出高質(zhì)量的學(xué)術(shù)期刊。

          CiteScore 指數(shù)(2024年最新版)

          CiteScore SJR SNIP CiteScore 指數(shù)
          6.2 0.744 1.187
          學(xué)科類別 分區(qū) 排名 百分位
          大類:Engineering 小類:Mechanical Engineering Q1 140 / 672

          79%

          大類:Engineering 小類:Electrical and Electronic Engineering Q1 199 / 797

          75%

          名詞解釋:CiteScore是基于Scopus數(shù)據(jù)庫的全新期刊評(píng)價(jià)體系。CiteScore 2021 的計(jì)算方式是期刊最近4年(含計(jì)算年度)的被引次數(shù)除以該期刊近四年發(fā)表的文獻(xiàn)數(shù)。CiteScore基于全球最廣泛的摘要和引文數(shù)據(jù)庫Scopus,適用于所有連續(xù)出版物,而不僅僅是期刊。目前CiteScore 收錄了超過 26000 種期刊,比獲得影響因子的期刊多13000種。被各界人士認(rèn)為是影響因子最有力的競爭對(duì)手。

          數(shù)據(jù)趨勢圖

          歷年中科院分區(qū)趨勢圖

          歷年IF值(影響因子)

          歷年引文指標(biāo)和發(fā)文量

          歷年自引數(shù)據(jù)

          發(fā)文數(shù)據(jù)

          2019-2021年國家/地區(qū)發(fā)文量統(tǒng)計(jì)

          國家/地區(qū) 數(shù)量
          USA 227
          CHINA MAINLAND 82
          Canada 28
          GERMANY (FED REP GER) 24
          India 18
          Japan 18
          Italy 15
          South Korea 13
          Taiwan 13
          Saudi Arabia 11

          2019-2021年機(jī)構(gòu)發(fā)文量統(tǒng)計(jì)

          機(jī)構(gòu) 數(shù)量
          UNIVERSITY OF CALIFORNIA SYSTEM 23
          STATE UNIVERSITY SYSTEM OF FLORIDA 19
          STANFORD UNIVERSITY 17
          CARNEGIE MELLON UNIVERSITY 14
          SOUTHEAST UNIVERSITY - CHINA 14
          UNIVERSITY OF ILLINOIS SYSTEM 14
          CHINESE ACADEMY OF SCIENCES 12
          UNIVERSITY SYSTEM OF MARYLAND 12
          UNIVERSITY OF MICHIGAN SYSTEM 10
          UNIVERSITY OF TEXAS SYSTEM 10

          2019-2021年文章引用數(shù)據(jù)

          文章引用名稱 引用次數(shù)
          Review of Micro Thermoelectric Generator 22
          Investigation of Multimodal Electret-Bas... 22
          Accurate Extraction of Large Electromech... 15
          4.5 GHz Lithium Niobate MEMS Filters Wit... 11
          Monolayer MoS2 Strained to 1.3% With a M... 9
          X-Cut Lithium Niobate Laterally Vibratin... 9
          Ultra Deep Reactive Ion Etching of High ... 8
          Exploration of Metal 3-D Printing Techno... 8
          Fused Silica Micro Shell Resonator With ... 8
          MEMS-Based Thermoelectric-Photoelectric ... 8

          2019-2021年文章被引用數(shù)據(jù)

          被引用期刊名稱 數(shù)量
          J MICROELECTROMECH S 359
          MICROMACHINES-BASEL 298
          SENSOR ACTUAT A-PHYS 287
          J MICROMECH MICROENG 219
          IEEE SENS J 206
          MICROSYST TECHNOL 193
          SENSORS-BASEL 190
          IEEE T ULTRASON FERR 93
          APPL PHYS LETT 92
          SCI REP-UK 84

          2019-2021年引用數(shù)據(jù)

          引用期刊名稱 數(shù)量
          J MICROELECTROMECH S 359
          J MICROMECH MICROENG 190
          SENSOR ACTUAT A-PHYS 163
          APPL PHYS LETT 109
          IEEE SENS J 66
          J APPL PHYS 58
          IEEE T ULTRASON FERR 56
          LAB CHIP 52
          SENSOR ACTUAT B-CHEM 51
          NANO LETT 41

          相關(guān)期刊

          免責(zé)聲明

          若用戶需要出版服務(wù),請聯(lián)系出版商:IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC, 445 HOES LANE, PISCATAWAY, USA, NJ, 08855-4141。