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評(píng)價(jià)信息:
影響因子:1.9
年發(fā)文量:193
《半導(dǎo)體科技》(Semiconductor Science And Technology)是一本以工程技術(shù)-材料科學(xué):綜合綜合研究為特色的國(guó)際期刊。該刊由IOP Publishing Ltd.出版商創(chuàng)刊于1986年,刊期Monthly。該刊已被國(guó)際重要權(quán)威數(shù)據(jù)庫(kù)SCIE收錄。期刊聚焦工程技術(shù)-材料科學(xué):綜合領(lǐng)域的重點(diǎn)研究和前沿進(jìn)展,及時(shí)刊載和報(bào)道該領(lǐng)域的研究成果,致力于成為該領(lǐng)域同行進(jìn)行快速學(xué)術(shù)交流的信息窗口與平臺(tái)。該刊2023年影響因子為1.9。CiteScore指數(shù)值為4.3。
Devoted to semiconductor research, Semiconductor Science and Technology's multidisciplinary approach reflects the far-reaching nature of this topic.
The scope of the journal covers fundamental and applied experimental and theoretical studies of the properties of non-organic, organic and oxide semiconductors, their interfaces and devices, including:
fundamental properties
materials and nanostructures
devices and applications
fabrication and processing
new analytical techniques
simulation
emerging fields:
materials and devices for quantum technologies
hybrid structures and devices
2D and topological materials
metamaterials
semiconductors for energy
flexible electronics.
《半導(dǎo)體科學(xué)與技術(shù)》致力于半導(dǎo)體研究,其多學(xué)科方法反映了該主題的深遠(yuǎn)性質(zhì)。
該期刊的范圍涵蓋非有機(jī)、有機(jī)和氧化物半導(dǎo)體及其界面和器件的性質(zhì)的基礎(chǔ)和應(yīng)用實(shí)驗(yàn)和理論研究,包括:
基本性質(zhì)
材料和納米結(jié)構(gòu)
器件和應(yīng)用
制造和加工
新分析技術(shù)
模擬
新興領(lǐng)域:
量子技術(shù)材料和器件
混合結(jié)構(gòu)和器件
2D和拓?fù)洳牧?/p>
超材料
能源半導(dǎo)體
柔性電子。
《Semiconductor Science And Technology》(半導(dǎo)體科技)編輯部通訊方式為IOP PUBLISHING LTD, DIRAC HOUSE, TEMPLE BACK, BRISTOL, ENGLAND, BS1 6BE。如果您需要協(xié)助投稿或潤(rùn)稿服務(wù),您可以咨詢(xún)我們的客服老師。我們專(zhuān)注于期刊咨詢(xún)服務(wù)十年,熟悉發(fā)表政策,可為您提供一對(duì)一投稿指導(dǎo),避免您在投稿時(shí)頻繁碰壁,節(jié)省您的寶貴時(shí)間,有效提升發(fā)表機(jī)率,確保SCI檢索(檢索不了全額退款)。我們視信譽(yù)為生命,多方面確保文章安全保密,在任何情況下都不會(huì)泄露您的個(gè)人信息或稿件內(nèi)容。
2023年12月升級(jí)版
大類(lèi)學(xué)科 | 分區(qū) | 小類(lèi)學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
工程技術(shù) | 4區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科學(xué):綜合 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理:凝聚態(tài)物理 | 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū) | 否 | 否 |
2022年12月升級(jí)版
大類(lèi)學(xué)科 | 分區(qū) | 小類(lèi)學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
工程技術(shù) | 4區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科學(xué):綜合 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理:凝聚態(tài)物理 | 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū) | 否 | 否 |
2021年12月舊的升級(jí)版
大類(lèi)學(xué)科 | 分區(qū) | 小類(lèi)學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
工程技術(shù) | 4區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科學(xué):綜合 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理:凝聚態(tài)物理 | 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū) | 否 | 否 |
2021年12月基礎(chǔ)版
大類(lèi)學(xué)科 | 分區(qū) | 小類(lèi)學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
工程技術(shù) | 3區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科學(xué):綜合 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理:凝聚態(tài)物理 | 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū) | 否 | 否 |
2021年12月升級(jí)版
大類(lèi)學(xué)科 | 分區(qū) | 小類(lèi)學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
工程技術(shù) | 4區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科學(xué):綜合 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理:凝聚態(tài)物理 | 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū) | 否 | 否 |
2020年12月舊的升級(jí)版
大類(lèi)學(xué)科 | 分區(qū) | 小類(lèi)學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
工程技術(shù) | 3區(qū) | PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理:凝聚態(tài)物理 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科學(xué):綜合 | 3區(qū) 4區(qū) 4區(qū) | 否 | 否 |
基礎(chǔ)版:即2019年12月17日,正式發(fā)布的《2019年中國(guó)科學(xué)院文獻(xiàn)情報(bào)中心期刊分區(qū)表》;將JCR中所有期刊分為13個(gè)大類(lèi),期刊范圍只有SCI期刊。
升級(jí)版:即2020年1月13日,正式發(fā)布的《2019年中國(guó)科學(xué)院文獻(xiàn)情報(bào)中心期刊分區(qū)表升級(jí)版(試行)》,升級(jí)版采用了改進(jìn)后的指標(biāo)方法體系對(duì)基礎(chǔ)版的延續(xù)和改進(jìn),影響因子不再是分區(qū)的唯一或者決定性因素,也沒(méi)有了分區(qū)的IF閾值期刊由基礎(chǔ)版的13個(gè)學(xué)科擴(kuò)展至18個(gè),科研評(píng)價(jià)將更加明確。期刊范圍有SCI期刊、SSCI期刊。從2022年開(kāi)始,分區(qū)表將只發(fā)布升級(jí)版結(jié)果,不再有基礎(chǔ)版和升級(jí)版之分,基礎(chǔ)版和升級(jí)版(試行)將過(guò)渡共存三年時(shí)間。
JCR分區(qū)等級(jí):Q3
按JIF指標(biāo)學(xué)科分區(qū) | 收錄子集 | 分區(qū) | 排名 | 百分位 |
學(xué)科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q3 | 211 / 352 |
40.2% |
學(xué)科:MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY | SCIE | Q3 | 301 / 438 |
31.4% |
學(xué)科:PHYSICS, CONDENSED MATTER | SCIE | Q3 | 50 / 79 |
37.3% |
按JCI指標(biāo)學(xué)科分區(qū) | 收錄子集 | 分區(qū) | 排名 | 百分位 |
學(xué)科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q3 | 238 / 354 |
32.91% |
學(xué)科:MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY | SCIE | Q3 | 293 / 438 |
33.22% |
學(xué)科:PHYSICS, CONDENSED MATTER | SCIE | Q3 | 51 / 79 |
36.08% |
Gold OA文章占比 | 研究類(lèi)文章占比 | 文章自引率 |
10.23% | 95.85% | 0.05... |
開(kāi)源占比 | 出版國(guó)人文章占比 | OA被引用占比 |
0.07... | 0.19 | 0.04... |
名詞解釋?zhuān)?b>JCR分區(qū)在學(xué)術(shù)期刊評(píng)價(jià)、科研成果展示、科研方向引導(dǎo)以及學(xué)術(shù)交流與合作等方面都具有重要的價(jià)值。通過(guò)對(duì)期刊影響因子的精確計(jì)算和細(xì)致劃分,JCR分區(qū)能夠清晰地反映出不同期刊在同一學(xué)科領(lǐng)域內(nèi)的相對(duì)位置,從而幫助科研人員準(zhǔn)確識(shí)別出高質(zhì)量的學(xué)術(shù)期刊。
CiteScore | SJR | SNIP | CiteScore 指數(shù) | ||||||||||||||||||||
4.3 | 0.411 | 0.741 |
|
名詞解釋?zhuān)?b>CiteScore是基于Scopus數(shù)據(jù)庫(kù)的全新期刊評(píng)價(jià)體系。CiteScore 2021 的計(jì)算方式是期刊最近4年(含計(jì)算年度)的被引次數(shù)除以該期刊近四年發(fā)表的文獻(xiàn)數(shù)。CiteScore基于全球最廣泛的摘要和引文數(shù)據(jù)庫(kù)Scopus,適用于所有連續(xù)出版物,而不僅僅是期刊。目前CiteScore 收錄了超過(guò) 26000 種期刊,比獲得影響因子的期刊多13000種。被各界人士認(rèn)為是影響因子最有力的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。
歷年中科院分區(qū)趨勢(shì)圖
歷年IF值(影響因子)
歷年引文指標(biāo)和發(fā)文量
歷年自引數(shù)據(jù)
2019-2021年國(guó)家/地區(qū)發(fā)文量統(tǒng)計(jì)
國(guó)家/地區(qū) | 數(shù)量 |
CHINA MAINLAND | 257 |
USA | 139 |
India | 121 |
GERMANY (FED REP GER) | 95 |
South Korea | 90 |
England | 64 |
Japan | 64 |
France | 55 |
Russia | 52 |
Taiwan | 31 |
2019-2021年機(jī)構(gòu)發(fā)文量統(tǒng)計(jì)
機(jī)構(gòu) | 數(shù)量 |
CHINESE ACADEMY OF SCIENCES | 63 |
INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY SYSTEM (I... | 47 |
RUSSIAN ACADEMY OF SCIENCES | 42 |
CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIF... | 41 |
UNIVERSITY OF CALIFORNIA SYSTEM | 34 |
IMEC | 20 |
SUNGKYUNKWAN UNIVERSITY (SKKU) | 20 |
FERDINAND-BRAUN-INSTITUT LEIBNIZ-INSTITU... | 18 |
PEKING UNIVERSITY | 18 |
XIDIAN UNIVERSITY | 17 |
2019-2021年文章引用數(shù)據(jù)
文章引用名稱(chēng) | 引用次數(shù) |
beta-Ga2O3 for wide-bandgap electronics ... | 59 |
Phase-change materials for non-volatile ... | 53 |
Metal oxide nanostructures for sensor ap... | 29 |
How to control defect formation in monol... | 28 |
Terahertz radiation detectors: the state... | 21 |
Structural, electronic and phononic prop... | 19 |
Wide-bandgap, low-bandgap, and tandem pe... | 18 |
Biaxial strain tuned electronic structur... | 17 |
A comprehensive device modelling of pero... | 15 |
The transport and optical sensing proper... | 15 |
2019-2021年文章被引用數(shù)據(jù)
被引用期刊名稱(chēng) | 數(shù)量 |
J APPL PHYS | 337 |
SEMICOND SCI TECH | 276 |
PHYS REV B | 205 |
MATER RES EXPRESS | 191 |
APPL PHYS LETT | 185 |
JPN J APPL PHYS | 169 |
IEEE T ELECTRON DEV | 145 |
SCI REP-UK | 134 |
APPL SURF SCI | 118 |
J MATER SCI-MATER EL | 118 |
2019-2021年引用數(shù)據(jù)
引用期刊名稱(chēng) | 數(shù)量 |
APPL PHYS LETT | 1311 |
J APPL PHYS | 761 |
PHYS REV B | 700 |
IEEE T ELECTRON DEV | 412 |
PHYS REV LETT | 332 |
IEEE ELECTR DEVICE L | 277 |
SEMICOND SCI TECH | 276 |
NANO LETT | 236 |
THIN SOLID FILMS | 162 |
J CRYST GROWTH | 150 |
中科院分區(qū):1區(qū)
影響因子:7.7
審稿周期:約Time to first decision: 9 days; Review time: 64 days; Submission to acceptance: 82 days; 約2.7個(gè)月 約7.8周
中科院分區(qū):1區(qū)
影響因子:8.1
審稿周期:約Time to first decision: 6 days; Review time: 44 days; Submission to acceptance: 54 days; 約4.1個(gè)月 約6.8周
中科院分區(qū):3區(qū)
影響因子:3.3
審稿周期:約17.72天 11 Weeks
中科院分區(qū):1區(qū)
影響因子:98.4
審稿周期: 約3月
中科院分區(qū):2區(qū)
影響因子:5.8
審稿周期: 約2.4個(gè)月 約7.6周
中科院分區(qū):2區(qū)
影響因子:5.1
審稿周期: 約1.9個(gè)月 約2.7周
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