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          Solid-state Electronics

          評價信息:

          影響因子:1.4

          年發(fā)文量:175

          固態(tài)電子 SCIE

          Solid-state Electronics

          《固態(tài)電子》(Solid-state Electronics)是一本以物理-工程:電子與電氣綜合研究為特色的國際期刊。該刊由Elsevier Ltd出版商創(chuàng)刊于1960年,刊期Monthly。該刊已被國際重要權(quán)威數(shù)據(jù)庫SCIE收錄。期刊聚焦物理-工程:電子與電氣領(lǐng)域的重點研究和前沿進展,及時刊載和報道該領(lǐng)域的研究成果,致力于成為該領(lǐng)域同行進行快速學術(shù)交流的信息窗口與平臺。該刊2023年影響因子為1.4。CiteScore指數(shù)值為3。

          投稿咨詢 加急發(fā)表

          期刊簡介預計審稿時間: 一般,3-6周 約9.2周

          It is the aim of this journal to bring together in one publication outstanding papers reporting new and original work in the following areas: (1) applications of solid-state physics and technology to electronics and optoelectronics, including theory and device design; (2) optical, electrical, morphological characterization techniques and parameter extraction of devices; (3) fabrication of semiconductor devices, and also device-related materials growth, measurement and evaluation; (4) the physics and modeling of submicron and nanoscale microelectronic and optoelectronic devices, including processing, measurement, and performance evaluation; (5) applications of numerical methods to the modeling and simulation of solid-state devices and processes; and (6) nanoscale electronic and optoelectronic devices, photovoltaics, sensors, and MEMS based on semiconductor and alternative electronic materials; (7) synthesis and electrooptical properties of materials for novel devices.

          本期刊旨在將以下領(lǐng)域的新穎和原創(chuàng)工作的優(yōu)秀論文匯集到一本出版物中:(1)固體物理和技術(shù)在電子和光電子學中的應用,包括理論和器件設計;(2)器件的光學、電學和形態(tài)表征技術(shù)和參數(shù)提??;(3)半導體器件的制造以及與器件相關(guān)的材料的生長、測量和評估;(4)亞微米和納米級微電子和光電子器件的物理和建模,包括加工、測量和性能評估;(5)數(shù)值方法在固態(tài)器件和過程的建模和仿真中的應用;(6)基于半導體和替代電子材料的納米級電子和光電子器件、光伏、傳感器和 MEMS;(7)新型器件材料的合成和光電特性。

          《Solid-state Electronics》(固態(tài)電子)編輯部通訊方式為PERGAMON-ELSEVIER SCIENCE LTD, THE BOULEVARD, LANGFORD LANE, KIDLINGTON, OXFORD, ENGLAND, OX5 1GB。如果您需要協(xié)助投稿或潤稿服務,您可以咨詢我們的客服老師。我們專注于期刊咨詢服務十年,熟悉發(fā)表政策,可為您提供一對一投稿指導,避免您在投稿時頻繁碰壁,節(jié)省您的寶貴時間,有效提升發(fā)表機率,確保SCI檢索(檢索不了全額退款)。我們視信譽為生命,多方面確保文章安全保密,在任何情況下都不會泄露您的個人信息或稿件內(nèi)容。

          中科院分區(qū)

          2023年12月升級版

          大類學科 分區(qū) 小類學科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
          物理與天體物理 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應用 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理:凝聚態(tài)物理 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū)

          2022年12月升級版

          大類學科 分區(qū) 小類學科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
          物理與天體物理 3區(qū) PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理:凝聚態(tài)物理 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應用 3區(qū) 4區(qū) 4區(qū)

          2021年12月舊的升級版

          大類學科 分區(qū) 小類學科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
          物理與天體物理 3區(qū) PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理:凝聚態(tài)物理 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應用 3區(qū) 4區(qū) 4區(qū)

          2021年12月基礎版

          大類學科 分區(qū) 小類學科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
          物理 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應用 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理:凝聚態(tài)物理 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū)

          2021年12月升級版

          大類學科 分區(qū) 小類學科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
          物理與天體物理 3區(qū) PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理:凝聚態(tài)物理 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應用 3區(qū) 4區(qū) 4區(qū)

          2020年12月舊的升級版

          大類學科 分區(qū) 小類學科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
          物理與天體物理 3區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應用 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理:凝聚態(tài)物理 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū)
          名詞解釋:

          基礎版:即2019年12月17日,正式發(fā)布的《2019年中國科學院文獻情報中心期刊分區(qū)表》;將JCR中所有期刊分為13個大類,期刊范圍只有SCI期刊。

          升級版:即2020年1月13日,正式發(fā)布的《2019年中國科學院文獻情報中心期刊分區(qū)表升級版(試行)》,升級版采用了改進后的指標方法體系對基礎版的延續(xù)和改進,影響因子不再是分區(qū)的唯一或者決定性因素,也沒有了分區(qū)的IF閾值期刊由基礎版的13個學科擴展至18個,科研評價將更加明確。期刊范圍有SCI期刊、SSCI期刊。從2022年開始,分區(qū)表將只發(fā)布升級版結(jié)果,不再有基礎版和升級版之分,基礎版和升級版(試行)將過渡共存三年時間。

          JCR分區(qū)(2023-2024年最新版)

          JCR分區(qū)等級:Q3

          按JIF指標學科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
          學科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q3 259 / 352

          26.6%

          學科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q4 138 / 179

          23.2%

          學科:PHYSICS, CONDENSED MATTER SCIE Q4 61 / 79

          23.4%

          按JCI指標學科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
          學科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q3 261 / 354

          26.41%

          學科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q3 133 / 179

          25.98%

          學科:PHYSICS, CONDENSED MATTER SCIE Q3 54 / 79

          32.28%

          Gold OA文章占比 研究類文章占比 文章自引率
          18.40% 99.43% 0.05...
          開源占比 出版國人文章占比 OA被引用占比
          0.08... 0.16 0.01...

          名詞解釋:JCR分區(qū)在學術(shù)期刊評價、科研成果展示、科研方向引導以及學術(shù)交流與合作等方面都具有重要的價值。通過對期刊影響因子的精確計算和細致劃分,JCR分區(qū)能夠清晰地反映出不同期刊在同一學科領(lǐng)域內(nèi)的相對位置,從而幫助科研人員準確識別出高質(zhì)量的學術(shù)期刊。

          CiteScore 指數(shù)(2024年最新版)

          CiteScore SJR SNIP CiteScore 指數(shù)
          3 0.348 0.655
          學科類別 分區(qū) 排名 百分位
          大類:Engineering 小類:Electrical and Electronic Engineering Q3 419 / 797

          47%

          大類:Engineering 小類:Condensed Matter Physics Q3 245 / 434

          43%

          大類:Engineering 小類:Materials Chemistry Q3 182 / 317

          42%

          大類:Engineering 小類:Electronic, Optical and Magnetic Materials Q3 169 / 284

          40%

          名詞解釋:CiteScore是基于Scopus數(shù)據(jù)庫的全新期刊評價體系。CiteScore 2021 的計算方式是期刊最近4年(含計算年度)的被引次數(shù)除以該期刊近四年發(fā)表的文獻數(shù)。CiteScore基于全球最廣泛的摘要和引文數(shù)據(jù)庫Scopus,適用于所有連續(xù)出版物,而不僅僅是期刊。目前CiteScore 收錄了超過 26000 種期刊,比獲得影響因子的期刊多13000種。被各界人士認為是影響因子最有力的競爭對手。

          數(shù)據(jù)趨勢圖

          歷年中科院分區(qū)趨勢圖

          歷年IF值(影響因子)

          歷年引文指標和發(fā)文量

          歷年自引數(shù)據(jù)

          發(fā)文數(shù)據(jù)

          2019-2021年國家/地區(qū)發(fā)文量統(tǒng)計

          國家/地區(qū) 數(shù)量
          South Korea 131
          CHINA MAINLAND 104
          France 76
          USA 53
          GERMANY (FED REP GER) 36
          India 24
          Spain 21
          England 17
          Belgium 16
          Japan 16

          2019-2021年機構(gòu)發(fā)文量統(tǒng)計

          機構(gòu) 數(shù)量
          CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIF... 55
          COMMUNAUTE UNIVERSITE GRENOBLE ALPES 38
          UNIVERSITE DE SAVOIE 33
          CEA 32
          SEOUL NATIONAL UNIVERSITY (SNU) 26
          CHINESE ACADEMY OF SCIENCES 23
          KYUNGPOOK NATIONAL UNIVERSITY 17
          STMICROELECTRONICS 16
          POHANG UNIVERSITY OF SCIENCE & TECHNOLOG... 12
          INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY SYSTEM (I... 11

          2019-2021年文章引用數(shù)據(jù)

          文章引用名稱 引用次數(shù)
          Lightweight flexible indium-free oxide T... 21
          The photovoltaic impact of atomic layer ... 12
          Current-voltage analytical model and mul... 11
          Low-voltage electric-double-layer MoS2 t... 11
          Effect of defect creation and migration ... 11
          Characterization and modeling of 28-nm F... 10
          Improve the performance of CZTSSe solar ... 10
          A review on terahertz photogalvanic spec... 8
          Multi-layer WSe2 field effect transistor... 8
          SnO2 nanoparticles/TiO2 nanofibers heter... 7

          2019-2021年文章被引用數(shù)據(jù)

          被引用期刊名稱 數(shù)量
          IEEE T ELECTRON DEV 384
          SOLID STATE ELECTRON 207
          J APPL PHYS 199
          JPN J APPL PHYS 150
          SEMICOND SCI TECH 123
          J MATER SCI-MATER EL 111
          IEEE J ELECTRON DEVI 105
          IEEE ELECTR DEVICE L 96
          APPL PHYS LETT 93
          MATER RES EXPRESS 84

          2019-2021年引用數(shù)據(jù)

          引用期刊名稱 數(shù)量
          IEEE T ELECTRON DEV 431
          IEEE ELECTR DEVICE L 257
          APPL PHYS LETT 248
          SOLID STATE ELECTRON 207
          J APPL PHYS 136
          PHYS REV B 106
          NATURE 58
          SEMICOND SCI TECH 52
          PHYS REV LETT 47
          THIN SOLID FILMS 43

          相關(guān)期刊

          免責聲明

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