首頁 > SCI期刊 > SCIE期刊 > 工程技術 > 中科院3區(qū) > JCRQ3 > 期刊介紹
評價信息：
影響因子：1.9
年發(fā)文量：293
《微電子雜志》(Microelectronics Journal)是一本以工程技術-工程：電子與電氣綜合研究為特色的國際期刊。該刊由Elsevier出版商創(chuàng)刊于1967年，刊期Monthly。該刊已被國際重要權威數(shù)據(jù)庫SCIE收錄。期刊聚焦工程技術-工程：電子與電氣領域的重點研究和前沿進展，及時刊載和報道該領域的研究成果，致力于成為該領域同行進行快速學術交流的信息窗口與平臺。該刊2023年影響因子為1.9。CiteScore指數(shù)值為4。
Published since 1969, the Microelectronics Journal is an international forum for the dissemination of research and applications of microelectronic systems, circuits, and emerging technologies. Papers published in the Microelectronics Journal have undergone peer review to ensure originality, relevance, and timeliness. The journal thus provides a worldwide, regular, and comprehensive update on microelectronic circuits and systems.
The Microelectronics Journal invites papers describing significant research and applications in all of the areas listed below. Comprehensive review/survey papers covering recent developments will also be considered. The Microelectronics Journal covers circuits and systems. This topic includes but is not limited to: Analog, digital, mixed, and RF circuits and related design methodologies; Logic, architectural, and system level synthesis; Testing, design for testability, built-in self-test; Area, power, and thermal analysis and design; Mixed-domain simulation and design; Embedded systems; Non-von Neumann computing and related technologies and circuits; Design and test of high complexity systems integration; SoC, NoC, SIP, and NIP design and test; 3-D integration design and analysis; Emerging device technologies and circuits, such as FinFETs, SETs, spintronics, SFQ, MTJ, etc.
Application aspects such as signal and image processing including circuits for cryptography, sensors, and actuators including sensor networks, reliability and quality issues, and economic models are also welcome.
《微電子學雜志》自 1969 年創(chuàng)刊以來，是一個傳播微電子系統(tǒng)、電路和新興技術研究和應用的國際論壇?！段㈦娮訉W雜志》上發(fā)表的論文都經(jīng)過同行評審，以確保其原創(chuàng)性、相關性和時效性。因此，該雜志提供了有關微電子電路和系統(tǒng)的全球定期全面更新。
《微電子學雜志》誠邀撰寫描述以下所有領域重要研究和應用的論文。涵蓋最新發(fā)展的綜合評論/調(diào)查論文也將予以考慮?！段㈦娮訉W雜志》涵蓋電路和系統(tǒng)。該主題包括但不限于：模擬、數(shù)字、混合和射頻電路及相關設計方法；邏輯、架構和系統(tǒng)級綜合；測試、可測試性設計、內(nèi)置自測試；面積、功率和熱分析與設計；混合域仿真與設計；嵌入式系統(tǒng)；非馮諾依曼計算及相關技術和電路；高復雜度系統(tǒng)集成的設計和測試； SoC、NoC、SIP 和 NIP 設計和測試；3-D 集成設計和分析；新興器件技術和電路，如 FinFET、SET、自旋電子學、SFQ、MTJ 等。
也歡迎應用方面，例如信號和圖像處理（包括密碼電路）、傳感器和執(zhí)行器（包括傳感器網(wǎng)絡）、可靠性和質量問題以及經(jīng)濟模型。
《Microelectronics Journal》(微電子雜志)編輯部通訊方式為ELSEVIER SCI LTD, THE BOULEVARD, LANGFORD LANE, KIDLINGTON, OXFORD, ENGLAND, OXON, OX5 1GB。如果您需要協(xié)助投稿或潤稿服務，您可以咨詢我們的客服老師。我們專注于期刊咨詢服務十年，熟悉發(fā)表政策，可為您提供一對一投稿指導，避免您在投稿時頻繁碰壁，節(jié)省您的寶貴時間，有效提升發(fā)表機率，確保SCI檢索（檢索不了全額退款）。我們視信譽為生命，多方面確保文章安全保密，在任何情況下都不會泄露您的個人信息或稿件內(nèi)容。
2023年12月升級版
| 大類學科 | 分區(qū) | 小類學科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術 | 3區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 | 3區(qū) 4區(qū) | 否 | 否 |
2022年12月升級版
| 大類學科 | 分區(qū) | 小類學科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術 | 3區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 | 3區(qū) 4區(qū) | 否 | 否 |
2021年12月舊的升級版
| 大類學科 | 分區(qū) | 小類學科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術 | 3區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 | 4區(qū) 4區(qū) | 否 | 否 |
2021年12月基礎版
| 大類學科 | 分區(qū) | 小類學科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術 | 4區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 | 4區(qū) 4區(qū) | 否 | 否 |
2021年12月升級版
| 大類學科 | 分區(qū) | 小類學科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術 | 3區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 | 4區(qū) 4區(qū) | 否 | 否 |
2020年12月舊的升級版
| 大類學科 | 分區(qū) | 小類學科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術 | 3區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 | 4區(qū) 4區(qū) | 否 | 否 |
基礎版：即2019年12月17日，正式發(fā)布的《2019年中國科學院文獻情報中心期刊分區(qū)表》；將JCR中所有期刊分為13個大類,期刊范圍只有SCI期刊。
升級版：即2020年1月13日，正式發(fā)布的《2019年中國科學院文獻情報中心期刊分區(qū)表升級版（試行）》,升級版采用了改進后的指標方法體系對基礎版的延續(xù)和改進，影響因子不再是分區(qū)的唯一或者決定性因素，也沒有了分區(qū)的IF閾值期刊由基礎版的13個學科擴展至18個，科研評價將更加明確。期刊范圍有SCI期刊、SSCI期刊。從2022年開始，分區(qū)表將只發(fā)布升級版結果，不再有基礎版和升級版之分,基礎版和升級版（試行）將過渡共存三年時間。
JCR分區(qū)等級：Q3
| 按JIF指標學科分區(qū) | 收錄子集 | 分區(qū) | 排名 | 百分位 |
| 學科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q3 | 211 / 352 |
40.2% |
| 學科：NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY | SCIE | Q4 | 110 / 140 |
21.8% |
| 按JCI指標學科分區(qū) | 收錄子集 | 分區(qū) | 排名 | 百分位 |
| 學科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q3 | 238 / 354 |
32.91% |
| 學科：NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY | SCIE | Q3 | 94 / 140 |
33.21% |
| Gold OA文章占比 | 研究類文章占比 | 文章自引率 |
| 2.61% | 99.32% | 0.27... |
| 開源占比 | 出版國人文章占比 | OA被引用占比 |
| 0.01... | -- | 0.00... |
名詞解釋：JCR分區(qū)在學術期刊評價、科研成果展示、科研方向引導以及學術交流與合作等方面都具有重要的價值。通過對期刊影響因子的精確計算和細致劃分，JCR分區(qū)能夠清晰地反映出不同期刊在同一學科領域內(nèi)的相對位置，從而幫助科研人員準確識別出高質量的學術期刊。
| CiteScore | SJR | SNIP | CiteScore 指數(shù) | ||||||||||||||||||||||||
| 4 | 0.39 | 0.854 |
|
名詞解釋：CiteScore是基于Scopus數(shù)據(jù)庫的全新期刊評價體系。CiteScore 2021 的計算方式是期刊最近4年（含計算年度）的被引次數(shù)除以該期刊近四年發(fā)表的文獻數(shù)。CiteScore基于全球最廣泛的摘要和引文數(shù)據(jù)庫Scopus，適用于所有連續(xù)出版物，而不僅僅是期刊。目前CiteScore 收錄了超過 26000 種期刊，比獲得影響因子的期刊多13000種。被各界人士認為是影響因子最有力的競爭對手。
歷年中科院分區(qū)趨勢圖
歷年IF值(影響因子)
歷年引文指標和發(fā)文量
歷年自引數(shù)據(jù)
2019-2021年文章引用數(shù)據(jù)
| 文章引用名稱 | 引用次數(shù) |
| Programmable multi-direction fully integ... | 13 |
| Performance improvement of nano wire TFE... | 12 |
| A survey of single and multi-component F... | 12 |
| Classical and fractional-order modeling ... | 9 |
| Wearable technologies for hand joints mo... | 9 |
| Electronically reconfigurable two-path f... | 8 |
| Fractional-order band-pass filter design... | 7 |
| Entanglement and physical attributes of ... | 7 |
| Multi stage OTA design: From matrix desc... | 7 |
| Memristor-CNTFET based ternary logic gat... | 7 |
2019-2021年文章被引用數(shù)據(jù)
| 被引用期刊名稱 | 數(shù)量 |
| MICROELECTRON J | 225 |
| AEU-INT J ELECTRON C | 129 |
| ANALOG INTEGR CIRC S | 105 |
| J CIRCUIT SYST COMP | 85 |
| IEEE ACCESS | 72 |
| CIRC SYST SIGNAL PR | 53 |
| INT J THEOR PHYS | 44 |
| IET CIRC DEVICE SYST | 43 |
| SENSORS-BASEL | 43 |
| INTEGRATION | 41 |
2019-2021年引用數(shù)據(jù)
| 引用期刊名稱 | 數(shù)量 |
| IEEE J SOLID-ST CIRC | 377 |
| MICROELECTRON J | 225 |
| IEEE T CIRCUITS-I | 195 |
| IEEE T ELECTRON DEV | 156 |
| IEEE T CIRCUITS-II | 127 |
| AEU-INT J ELECTRON C | 117 |
| IEEE T VLSI SYST | 107 |
| ELECTRON LETT | 95 |
| IEEE T MICROW THEORY | 88 |
| IEEE ELECTR DEVICE L | 80 |
中科院分區(qū)：1區(qū)
影響因子：7.7
審稿周期：約Time to first decision: 9 days; Review time: 64 days; Submission to acceptance: 82 days; 約2.7個月 約7.8周
中科院分區(qū)：1區(qū)
影響因子：8.1
審稿周期：約Time to first decision: 6 days; Review time: 44 days; Submission to acceptance: 54 days; 約4.1個月 約6.8周
中科院分區(qū)：3區(qū)
影響因子：3.3
審稿周期：約17.72天 11 Weeks
中科院分區(qū)：1區(qū)
影響因子：98.4
審稿周期： 約3月
中科院分區(qū)：2區(qū)
影響因子：5.8
審稿周期： 約2.4個月 約7.6周
中科院分區(qū)：2區(qū)
影響因子：5.1
審稿周期： 約1.9個月 約2.7周
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