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          半導(dǎo)體信息雜志

          評(píng)價(jià)信息:

          影響因子:暫無(wú)

          總被引頻次:

          半導(dǎo)體信息雜志 部級(jí)期刊

          Semiconductor Information
          期刊榮譽(yù):

          主要欄目:

          企業(yè)指南國(guó)內(nèi)外半導(dǎo)體技術(shù)與器件市場(chǎng)動(dòng)態(tài)

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          半導(dǎo)體信息雜志簡(jiǎn)介預(yù)計(jì)審稿時(shí)間:1個(gè)月內(nèi)

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          a.關(guān)鍵詞:3-5個(gè),以分號(hào)相隔。應(yīng)盡量使用敘詞,無(wú)法用敘詞的則應(yīng)根據(jù)文章內(nèi)容合理提取反映主題的自由詞。

          b.基金資助,在論文首頁(yè)下方,以腳注注明基金類(lèi)別和項(xiàng)目編號(hào)。

          c.文稿務(wù)求內(nèi)容精煉,論點(diǎn)明確,論證嚴(yán)密,數(shù)據(jù)準(zhǔn)確,文字簡(jiǎn)練、規(guī)范,標(biāo)點(diǎn)正確。

          d.稿件首頁(yè)內(nèi)容包括題名,每位作者的姓名、學(xué)歷、技術(shù)職稱(chēng)及工作單位,負(fù)責(zé)與編輯部聯(lián)系的通訊作者的姓名及其詳細(xì)通訊地址、電話、傳真和Email,并標(biāo)明正文字?jǐn)?shù)、表數(shù)及圖數(shù)。

          e.參考文獻(xiàn)應(yīng)以作者親自閱讀的近5年內(nèi)文獻(xiàn)為主,按引用的先后順序列出。

          雜志簡(jiǎn)介:

          半導(dǎo)體信息雜志(雙月刊)知識(shí)豐富,內(nèi)容廣泛,貼近大眾,自1990年創(chuàng)刊以來(lái)廣受好評(píng),注重視角的宏觀性、全局性和指導(dǎo)性,在業(yè)界形成了一定影響和良好口碑。

          統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)

          被引次數(shù)和發(fā)文量統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)

          雜志被引次數(shù)

          雜志發(fā)文量

          年度被引次數(shù)統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)

          2012 2013 2014 2015 2016 2017 2018 2019 2020

          本刊文章見(jiàn)刊的年份

          2012 2011 2010 2009 2008

          在2012年的被引次數(shù)

          1 0 0 4 2

          被本刊自己引用的次數(shù)

          0 0 0 0 0

          被引次數(shù)的累積百分比

          0.1429 0.1429 0.1429 0.7143 1

          本刊文章見(jiàn)刊的年份

          2013 2012 2011 2010

          在2013年的被引次數(shù)

          1 1 2 1

          被本刊自己引用的次數(shù)

          0 0 0 0

          被引次數(shù)的累積百分比

          0.2 0.4 0.8 1

          本刊文章見(jiàn)刊的年份

          2014 2013 2012 2011 2010 2009 2008 2007 2006 2005

          在2014年的被引次數(shù)

          0 3 1 2 0 1 1 0 0 1

          被本刊自己引用的次數(shù)

          0 0 0 0 0 0 0 0 0 0

          被引次數(shù)的累積百分比

          0 0.3 0.4 0.6 0.6 0.7 0.8 0.8 0.8 0.9

          本刊文章見(jiàn)刊的年份

          2015 2014 2013 2012 2011 2010 2009 2008

          在2015年的被引次數(shù)

          1 2 1 0 1 1 1 1

          被本刊自己引用的次數(shù)

          0 0 0 0 0 0 0 0

          被引次數(shù)的累積百分比

          0.125 0.375 0.5 0.5 0.625 0.75 0.875 1

          本刊文章見(jiàn)刊的年份

          2016 2015 2014 2013 2012 2011 2010 2009 2008 2007

          在2016年的被引次數(shù)

          0 2 3 1 2 0 2 1 0 1

          被本刊自己引用的次數(shù)

          0 0 0 0 0 0 0 0 0 0

          被引次數(shù)的累積百分比

          0 0.1538 0.3846 0.4615 0.6154 0.6154 0.7692 0.8462 0.8462 0.9231

          本刊文章見(jiàn)刊的年份

          2017 2016 2015 2014 2013 2012 2011 2010 2009 2008

          在2017年的被引次數(shù)

          1 4 3 8 2 1 2 1 0 3

          被本刊自己引用的次數(shù)

          0 0 0 0 0 0 0 0 0 0

          被引次數(shù)的累積百分比

          0.04 0.2 0.32 0.64 0.72 0.76 0.84 0.88 0.88 1

          本刊文章見(jiàn)刊的年份

          2018 2017 2016 2015 2014 2013 2012 2011 2010 2009

          在2018年的被引次數(shù)

          1 5 0 1 5 2 1 2 0 0

          被本刊自己引用的次數(shù)

          0 0 0 0 0 0 0 0 0 0

          被引次數(shù)的累積百分比

          0.0556 0.3333 0.3333 0.3889 0.6667 0.7778 0.8333 0.9444 0.9444 0.9444

          本刊文章見(jiàn)刊的年份

          2019 2018 2017 2016 2015 2014 2013 2012 2011 2010

          在2019年的被引次數(shù)

          0 2 4 2 3 2 1 1 0 2

          被本刊自己引用的次數(shù)

          0 0 0 0 0 0 0 0 0 0

          被引次數(shù)的累積百分比

          0 0.1111 0.3333 0.4444 0.6111 0.7222 0.7778 0.8333 0.8333 0.9444

          本刊文章見(jiàn)刊的年份

          2020 2019 2018 2017 2016 2015 2014 2013 2012 2011

          在2020年的被引次數(shù)

          0 1 0 4 1 4 1 0 1 2

          被本刊自己引用的次數(shù)

          0 0 0 0 0 0 0 0 0 0

          被引次數(shù)的累積百分比

          0 0.0667 0.0667 0.3333 0.4 0.6667 0.7333 0.7333 0.8 0.9333

          文章摘錄

          安森美半導(dǎo)體的碳化硅(SiC)二極管提供更高能效、更高功率密度和更低的系統(tǒng)成本

          Microchip推出碳化硅(SiC)產(chǎn)品助力打造可靠的高壓電子設(shè)備

          意法半導(dǎo)體發(fā)起SiC攻勢(shì)挑戰(zhàn)英飛凌

          UnitedSiC在650V產(chǎn)品系列中新增7個(gè)SiC FET

          CISSOID展出新款高溫柵極驅(qū)動(dòng)器、碳化硅器件及功率模塊

          羅姆推出內(nèi)置1700V SiC MOSFET的AC/DC轉(zhuǎn)換器IC

          英飛凌加速推出CoolSiCTM MOSFET 1200V單管新產(chǎn)品

          英飛凌聯(lián)合Schweizer開(kāi)發(fā)出面向輕度混合動(dòng)力汽車(chē)的芯片嵌入式功率MOSFET

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